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ZVN4306GV
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T amb = 25°C unless otherwise stated).
PARAMETER
SYMBOL MIN.
TYP.
MAX.
UNIT CONDITIONS.
Drain-Source
BV DSS
60
V
I D =1mA, V GS =0V
Breakdown Voltage
Gate-Source
V GS(th)
1.3
3
V
I D =1mA, V DS = V GS
Threshold Voltage
Gate-Body Leakage
Zero Gate Voltage
Drain Current
On-State Drain
I GSS
I DSS
I D(on)
12
20
10
100
nA
μ A
μ A
A
V GS = ± 20V, V DS =0V
V DS =60V, V GS =0V
V DS =48V, V GS =0V, T=125°C (2)
V DS =10V, V GS =10V
Current(1)
Static Drain-Source
On-State Resistance
R DS(on)
0.22
0.32
0.33
0.45
?
?
V GS =10V, I D =3A
V GS =5V, I D =1.5A
(1)
Forward
g fs
0.7
S
V DS =25V,I D =3A
Transconductance (1)
Input Capacitance (2) C iss
350
pF
Common Source
C oss
140
pF
V DS =25 V, V GS =0V, f=1MHz
Output Capacitance
(2)
Reverse Transfer
C rss
30
pF
Capacitance (2)
Turn-On Delay Time
t d(on)
8
ns
(2)(3)
Rise Time (2)(3)
Turn-Off Delay Time
t r
t d(off)
25
30
ns
ns
V DD ≈ 25V, V GEN =10V, I D =3A
(2)(3)
Fall Time (2)(3)
t f
16
ns
(1) Measured under pulsed conditions. Width=300 μ s. Duty cycle ≤ 2% (2) Sample test.
(3) Switching times measured with 50 ? source impedance and <5ns rise time on a pulse generator
Spice parameter data is available upon request for this device
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